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今天10月16日周五
  1. BusinessKorea海外韩国34 · 仅供参考中性

    全球晶圆代工美产竞争加剧:台积电、格罗方德与三星角逐

    AI 摘要全球晶圆代工企业在美扩产竞争加剧,台积电正评估在德州追加投资并讨论与特斯拉旗下Terafab合作。美国商务部宣布向格罗方德纽约工厂注入最高210亿美元日本资金,日本将联合拥有该工厂。三星电子泰勒工厂首座厂已部分试产,第二座厂计划年底动工,面临台积电入局后的订单争夺压力。

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  2. EE Times海外美国22 · 仅供参考中性

    AMD高管:台湾AI发展面临人才缺口,需公私合作突破瓶颈

    AI 摘要AMD高级副总裁David Wang指出,台湾在人工智能领域的发展正遭遇严重的人才短缺挑战。他强调,要突破硬件制造局限并提升设计与架构价值,必须依靠公共部门与私营部门的协作以培养具备系统与软件能力的人才。AMD今年宣布向台湾生态系统投资100亿美元,重点支持先进封装及基板产能建设。

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  3. BusinessKorea海外韩国42 · 仅供参考中性

    中国AI产业面临算力瓶颈:DeepSeek服务中断暴露基础设施危机

    AI 摘要DeepSeek近期因算力瓶颈导致API服务中断约4小时50分钟,暴露出中国人工智能产业在高速扩张下面临的严重基础设施短板。据分析,今年中国AI半导体总需求预计突破500万片,而实际供应仅约350万片,供需缺口显著扩大。尽管华为等本土企业加速推进国产替代,但受限于性能与生态成熟度,企业仍大量采购英伟达非管制GPU及租赁海外资源以缓解算力焦虑。

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  4. 科技新报 · 产业新闻海外中国台湾58 · 一般中性

    ASML 警告美扩大 DUV 禁令,称或加速中国半导体自主化

    AI 摘要据科技新报报道,荷兰半导体设备大厂艾司摩爾(ASML)对美国国会拟推动的《硬體技術管制多邊協調法案》(MATCH Act)表达疑虑,认为若进一步限制其向中国销售深紫外光(DUV)微影设备,可能刺激中国加快本土替代技术研发。

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  5. Semiconductor Engineering · 产业新闻海外国际38 · 仅供参考数据

    台积电Q3营收467亿美元同比增41.2%;ASML Q3销售额创纪录达117亿欧元

    AI 摘要台积电第三季度营收约467亿美元,同比增长41.2%,其中2nm工艺占晶圆收入的8%。ASML第三季度销售额达117亿欧元,同比增长约55%,且未来两年的计划供应仍无法满足客户需求。

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  6. DIGITIMES 电子时报海外中国台湾0 · 仅供参考中性

    中国芯片设备厂商布局混合键合技术以应对华为超越晶体管微缩需求

    AI 摘要中国芯片设备制造商正积极布局混合键合(hybrid bonding)技术,旨在协助华为突破晶体管微缩的物理极限。这一技术转向反映了国内半导体产业链在先进制程受限背景下,通过封装创新寻求性能提升的战略路径。

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  7. DIGITIMES 电子时报海外中国台湾62 · 一般中性

    上海朗道矽力科技公开EUV光源原型,称国产化率90%、功率15W

    AI 摘要据DIGITIMES报道,中国半导体技术初创公司朗道矽力科技(上海)公开了一款极紫外(EUV)光源原型,声称国产化率达90%,被视为中国推进本土光刻技术的一项进展。报道同时指出该原型功率为15W,与商业化芯片制造所需水平存在差距。

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10月15日周四
  1. Manufacturing Dive · 产业新闻海外国际42 · 仅供参考中性

    应用材料(Applied Materials)开放 EPIC 中心,预计资本支出达 50 亿美元

    AI 摘要应用材料在加州山景城园区正式开放设备与工艺创新及商业化中心(EPIC Center),该设施占地 60 万平方英尺。公司预计随着新客户项目启动,资本支出将达到 50 亿美元。台积电、英特尔、SK 海力士等合作伙伴将在此共同开发先进芯片制造工艺,加速技术从早期研究向大规模量产转化。

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  2. BusinessKorea海外韩国42 · 仅供参考中性

    据报微软Azure Maia芯片转向自研AI加速器,三星与SK海力士HBM需求或增

    AI 摘要微软宣布明年将自研Azure Maia芯片作为主要AI推理系统,计划分发超100万颗Maia 300。该芯片搭载8颗288GB HBM4芯片,预计增加800万颗HBM需求。全球科技巨头加速开发自研AI芯片,推动HBM市场向定制化扩展,三星电子与SK海力士面临新机遇与挑战。

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  3. EE Times海外美国42 · 仅供参考中性

    ASM国际推出Flowable Carbon技术应对3D缩放挑战

    AI 摘要ASM国际推出Flowable Carbon等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,旨在通过材料自平整特性解决逻辑与存储器件三维结构制造难题。该技术可实现无空洞填充并消除部分流程中的化学机械抛光(CMP)及刻蚀回退步骤,从而降低缺陷风险并提升良率。

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10月14日周三
  1. The Elec海外韩国58 · 一般中性

    SEMI预计2030年全球DRAM产能较去年增长41%

    AI 摘要国际半导体产业协会SEMI在10月12日于旧金山Moscone中心举行的SEMI Market Symposium上表示,以8英寸晶圆等效计算,全球DRAM产能将从去年的208万片/月增至2030年的294万片/月,增幅41%,五年复合年增长率7.1%。

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    AI 推荐理由:SEMI给出2030年全球DRAM与NAND产能的具体预测口径,并提示先进与成熟制程可能同时出现短缺。

  2. BusinessKorea海外韩国38 · 仅供参考中性

    SK海力士(SK Hynix)提出优化内存层级以应对AI推理瓶颈

    AI 摘要SK海力士总裁安贤在SEDEX 2026表示,AI推理市场爆发导致KV缓存需求激增,跨层数据移动成为新瓶颈。公司计划通过3D Stacked DRAM缩小SRAM与HBM差距,并推出介于两者间的HBF技术以提升系统效率。此外,SK海力士正推进定制HBM及CXL生态合作以确立标准。

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  3. BusinessKorea海外韩国58 · 一般中性

    长鑫存储预告新一代服务器DRAM,三星电子与SK海力士股价分别跌7.39%和10.09%

    AI 摘要据BusinessKorea报道,长鑫存储(CXMT)预告推出新一代服务器DRAM,并公布'4F²'技术,称可将存储单元面积较主流'6F²'方式减少33%。消息传出后,三星电子与SK海力士股价在10月13日分别下跌7.39%和10.09%。

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  4. DIGITIMES 电子时报海外中国台湾58 · 一般中性

    据报 SK hynix 部分 HBM4 设备安装或推迟至 2027 年

    AI 摘要据 DIGITIMES 报道,SK hynix(SK海力士)第六代高带宽内存(HBM4)生产的部分后段制造设备安装可能从 2026 年下半年推迟至 2027 年,这令外界对该芯片厂商的扩产计划产生疑问,背景是常规 DRAM 需求上升。

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  5. DIGITIMES 电子时报海外中国台湾62 · 一般中性

    ASML三季度净销售额117亿欧元创纪录,称2027至2028年供应将低于客户需求

    AI 摘要据DIGITIMES报道,ASML公布2026年第三季度净销售额为117亿欧元(约131亿美元),净利润50亿欧元,均创纪录。ASML同时警告,其2027年和2028年的计划供应将低于客户需求。

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    AI 推荐理由:ASML披露2026年三季度创纪录净销售额与净利润,并称2027至2028年计划供应将低于客户需求。

  6. BusinessKorea海外韩国42 · 仅供参考中性

    Musk批评内存芯片定价,引发对三星、SK海力士的质疑

    AI 摘要特斯拉CEO马斯克在X平台批评内存供应商定价过高并赞扬美光科技,引发市场对其是否针对三星电子和SK海力士的猜测。摩根士丹利预计2026年内存供应缺口约20%,受AI行业高带宽内存需求推动。马斯克还指出中国厂商在先进内存领域面临更大技术挑战,此前相关担忧曾导致内存股单日市值蒸发约1080亿美元。

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  7. DIGITIMES 电子时报海外中国台湾52 · 仅供参考中性

    供应链消息称存储供需缺口扩大,主要GPU与ASIC厂商考虑下一代采用8层堆叠HBM

    AI 摘要据供应链消息,随着AI应用激增导致存储供需缺口扩大,主要GPU与客制化ASIC厂商正考虑在下一代产品中采用规格较低的8层堆叠高带宽存储(HBM)配置。该消息来自供应链人士,相关厂商尚未确认。

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10月13日周二
  1. DIGITIMES 电子时报海外中国台湾42 · 仅供参考中性

    中国金爱科技获国家支持,目标2027年启动先进工艺试点线

    AI 摘要中国金爱科技(Jinai Tech)获得国家支持,计划于2027年启动先进工艺试点线的投产。此举旨在加速半导体设备与材料的国内替代进程,以应对日益激烈的中美竞争。该进展与中国“十五五”规划及工信部强力芯片项目紧密相关。

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10月12日周一
  1. 英伟达 · 官方产业新闻海外美国58 · 一般中性

    英伟达与思科推出 USFP 可插拔光模块,单通道 400Gb/s、容量达 12.8Tb/s

    AI 摘要英伟达与思科宣布计划推出超密集小尺寸可插拔光模块 USFP,设计支持每通道 400Gb/s 电信号,整体容量可达 12.8Tb/s。该模块带宽密度为每通道 200Gb/s 光模块的 4 倍,能效约为其 1.3 倍,首批基于 USFP 的收发器将在 OSFP 尺寸内集成 16 个全双工通道,未来可扩展至 32 通道及以上。

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  2. DIGITIMES 电子时报海外中国台湾18 · 仅供参考数据

    印度AI数据中心建设提速,半导体布局持续拓宽

    AI 摘要印度科技建设正从半导体向AI基础设施延伸,芯片IP、封装与设备项目与数据中心扩张同步推进,涉及高密度计算、光连接及GPU部署。据DIGITIMES电子时报报道,印度半导体推进范围持续拓宽。

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10月11日周日
  1. The Elec海外韩国62 · 一般中性

    ASML 拟对韩国光刻机替换零部件统一涨价 10%,2027 年 1 月起适用

    AI 摘要据 The Elec 报道,ASML 将把供应韩国的替换零部件价格统一上调 10%,覆盖极紫外(EUV)和深紫外(DUV)光刻系统的全部零部件,新价格自 2027 年 1 月起的交付开始生效。

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    AI 推荐理由:据韩媒报道,ASML 对韩供应的光刻机替换零部件将统一涨价 10%,读者可据此了解设备端成本传导的起点。

  2. 东洋经济海外日本58 · 一般中性

    美光业绩说明会:AI服务器因内存不足降规格出货,供需平衡尚无展望

    AI 摘要据东洋经济报道,半导体内存大厂Micron(美光)在2026年6至8月期决算发布后的分析师说明会上承认,部分AI服务器在未能搭载原计划内存量的情况下出货。社长兼COO马尼什·巴蒂亚表示,供需何时平衡尚无展望,与客户的商谈已排到2028年份额。巴蒂亚将因内存不足被削减的搭载需求称为潜在需求,认为供给增加后会被AI搭载量的增长吸收。

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  3. 东洋经济海外日本58 · 一般中性

    台湾半导体后段设备投资规模近5兆日元,六大OSAT合计约190亿美元

    AI 摘要据《今周刊》报道,2026年全球半导体封装测试行业展开大规模设备投资竞争,ASE、安靠科技、力成科技、长电科技、通富微电、京元电子六大OSAT今年设备投资额合计预计约190亿美元(约3兆日元)。

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10月10日周六
  1. DIGITIMES 电子时报海外中国台湾22 · 仅供参考中性

    TPCA Show 2026 聚焦 AI 运算,欣兴电子董事长将发表主题演讲

    AI 摘要中国台湾电路板协会(TPCA)年度旗舰展会 TPCA Show 2026 将聚焦 AI 运算需求驱动的硬件架构变革,第21届国际微系统、封装、组装与电路技术会议同期举行。欣兴电子董事长将发表主题演讲。

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  2. DIGITIMES 电子时报海外中国台湾38 · 仅供参考中性

    Yole分析师:先进封装推动马来西亚向芯片价值链上游攀升,AI重塑需求

    AI 摘要据DIGITIMES电子时报报道,Yole半导体技术与市场分析师Nur Hilwani表示,马来西亚正从传统半导体后段制造转向更高附加值环节,先进封装预计将在未来两到三年驱动增长。她指出,AI正在重塑芯片需求结构,成为这一转型的重要背景。

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10月9日周五
  1. DIGITIMES 电子时报海外中国台湾58 · 一般中性

    格芯与台积电签署20亿美元硅中介层代工协议

    AI 摘要格芯(GlobalFoundries)于2026年10月8日表示,已与台积电签署一份多年期、金额20亿美元的制造协议,将在其纽约州马耳他工厂为台积电CoWoS生态生产硅中介层。格芯称该工厂将成为美国首个硅中介层来源。

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  2. DIGITIMES 电子时报海外中国台湾62 · 一般中性

    据报三星 12 层 HBM4E 通过英伟达等客户质量验证

    AI 摘要据 DIGITIMES 报道,三星电子下一代 12 层 HBM4E 高带宽内存产品已通过英伟达及多家超大规模数据中心运营商的客户质量验证。原文未披露验证的具体时间、产品量产安排及后续供货规模。

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10月8日周四
  1. EE Times海外美国22 · 仅供参考中性

    VinFast与Autobrains谈ADAS:芯片与存储成本上涨推动模块化AI智能体架构

    AI 摘要在AutoSens Europe 2026上,VinFast全球副CEO Duong-Van Nguyen与以色列AI公司Autobrains创始人兼CEO Igal Raichelgauz指出,半导体与存储成本上涨正影响L3、L4自动驾驶落地,端到端大模型应对罕见场景需更高算力、推高硬件成本。

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  2. BusinessKorea海外韩国62 · 一般中性

    Counterpoint Research:英伟达 Rubin 仍以 12 层 HBM4 为主,内存需求放缓担忧被夸大

    AI 摘要市场研究机构 Counterpoint Research 于 10 月 8 日公布内部评估结果,称英伟达下一代 AI 加速器 Rubin 搭载的第六代高带宽内存 HBM4 仍将以 12 层配置为主,此前关于英伟达要求供应商将堆叠层数从 12 层降至 8 层、进而拖累内存需求的担忧属于误解。

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  3. The Elec海外韩国22 · 仅供参考数据

    韩国功率半导体产业瞄准数据中心能效,KETI展示100MW级OCP ORv3供电系统

    AI 摘要韩国功率半导体产业已启动面向AI数据中心供电系统的能效研究。韩国电子技术研究院(KETI)研究员Park Sang-min于10月7日在釜山举行的功率半导体产学研K-Forum上介绍。

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