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长鑫科技4F² DRAM架构获进展

10 篇报道3 个报道来源20 分钟前更新

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AI 综述

2026年10月10日,长鑫科技(688825.SH)总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上介绍,公司在DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向取得进展,并官宣预计年底推出融合上述技术的新一代DDR5 RDIMM产品。长鑫科技称其4F²架构核心是自研VSG晶体管,采用VSG垂直包围沟道晶体管,相较行业主流6F²架构可提升存储密度;公司自成立以来启动4F²研究和专利布局,公开专利族超300件,2021年发布大陆首篇4F²架构相关论文。后续报道进一步明确,该架构由核心子公司长鑫存储推进,首代产品定为DDR5 RDIMM,面向服务器内存市场。此次演讲未提及该DDR5 RDIMM的规格信息和具体发布时间。

AI 根据报道生成 · 22 分钟前更新

报道时间线

沿着报道,了解事件的不同侧面。

10月10日
  1. 东方财富 · 上市公司动态精选
    长鑫科技(SH688825)官宣4F²架构突破,预计年底推出新一代DDR5 RDIMM

    长鑫科技(SH688825)总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上介绍公司在DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向的技术探索,并官宣预计今年年底推出融合上述技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

  2. 东方财富 · 上市公司动态
    长鑫科技称4F²架构研发取得进展,预计年底推出新一代DDR5 RDIMM产品

    长鑫科技总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上介绍公司在DRAM器件、4F²架构及混合键合方向的进展,并称预计年底推出融合上述技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

  3. 东方财富 · 上市公司动态精选
    长鑫科技(SH688825)官宣4F²架构技术突破,新一代DDR5 RDIMM产品预计年底推出

    长鑫科技(SH688825)总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上介绍公司在DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向的技术探索,并官宣预计今年年底推出融合上述技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

  4. 东方财富 · 上市公司动态精选
    长鑫科技称4F² DRAM架构研发取得进展,预计年底推出新一代DDR5 RDIMM

    长鑫科技总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上介绍公司在DRAM器件、4F²架构及混合键合方向的探索,并称预计年底推出融合上述技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

  5. 华尔街见闻 · A股快讯
    长鑫存储总裁曹堪宇:4F² DRAM架构预计年底推出DDR5 RDIMM产品

    长鑫科技核心子公司长鑫存储总裁曹堪宇在10月10日第四届集成芯片和芯粒大会上介绍名为4F²的DRAM架构,并表示长鑫存储预计年底将推出采用该技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

  6. 东方财富 · 上市公司动态精选
    长鑫存储总裁曹堪宇披露4F² DRAM架构,预计年底推出DDR5 RDIMM

    长鑫科技(688825.SH)核心子公司长鑫存储总裁曹堪宇在10月10日第四届集成芯片和芯粒大会上介绍4F² DRAM架构,并表示预计年底推出采用该技术的新一代DDR5 RDIMM产品。该架构采用VSG垂直包围沟道晶体管,相较行业主流6F²架构可提升存储密度,相关公开专利族超300件。长鑫存储将4F²首代产品定为DDR5 RDIMM,用于拓展服务器内存市场。

  7. 东方财富 · 上市公司动态精选
    长鑫存储披露4F² DRAM架构,预计年底推出DDR5 RDIMM产品

    长鑫科技(688825.SH)核心子公司长鑫存储总裁曹堪宇在10月10日第四届集成芯片和芯粒大会上介绍4F² DRAM架构,称该架构采用VSG垂直包围沟道晶体管,相关公开专利族超300件,并预计年底推出采用该技术的首代DDR5 RDIMM产品,以拓展服务器内存市场。

  8. 东方财富 · 上市公司动态精选
    长鑫科技官宣4F² DRAM架构研发进展,年底将推出DDR5 RDIMM产品

    长鑫科技10月10日官宣其4F² DRAM架构研发近期取得关键进展,总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上介绍DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向进展,并宣布预计年底推出融合上述技术的新一代DDR5 RDIMM产品。长鑫科技自成立以来启动4F²研究和专利布局,公开专利族超300件,2021年发布大陆首篇4F²架构相关论文。此次演讲未提及DDR5 RDIMM的规格信息和具体发布时间。

  9. 东方财富 · 财经要闻精选
    长鑫科技称4F² DRAM架构取得进展,年底将推出DDR5 RDIMM产品

    长鑫科技总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上介绍,公司在DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向取得进展,预计年底推出融合上述技术的新一代DDR5 RDIMM产品。长鑫科技称其4F²架构核心是自研VSG晶体管,公开专利族超300件,2021年发布大陆首篇4F²架构相关论文。此次演讲未提及该DDR5 RDIMM的规格信息和具体发布时间。

  10. 东方财富 · 上市公司动态
    长鑫存储4F2 DRAM架构取得进展,预计年底推出新一代DDR5 RDIMM产品

    据《科创板日报》记者获悉,长鑫存储4F2 DRAM架构研发近期取得关键进展。该公司总裁曹堪宇博士在第四届集成芯片和芯粒大会上介绍了长鑫存储在DRAM器件、4F2架构及混合键合等方向的技术探索与积累,并官宣预计年底将推出融合上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

本事件热度走势

当前热度 28·可比范围峰值 28(10月10日 23:00)·近 24 小时可比范围变化 –

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