长鑫存储披露4F² DRAM架构，预计年底推出DDR5 RDIMM产品

长鑫科技（688825.SH）核心子公司长鑫存储总裁曹堪宇在10月10日第四届集成芯片和芯粒大会上介绍4F² DRAM架构，称该架构采用VSG垂直包围沟道晶体管，相关公开专利族超300件，并预计年底推出采用该技术的首代DDR5 RDIMM产品，以拓展服务器内存市场。