长鑫存储4F2 DRAM架构取得进展，预计年底推出新一代DDR5 RDIMM产品

据《科创板日报》记者获悉，长鑫存储4F2 DRAM架构研发近期取得关键进展。该公司总裁曹堪宇博士在第四届集成芯片和芯粒大会上介绍了长鑫存储在DRAM器件、4F2架构及混合键合等方向的技术探索与积累，并官宣预计年底将推出融合上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。