长鑫科技称4F² DRAM架构取得进展，年底将推出DDR5 RDIMM产品

长鑫科技总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上介绍，公司在DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向取得进展，预计年底推出融合上述技术的新一代DDR5 RDIMM产品。长鑫科技称其4F²架构核心是自研VSG晶体管，公开专利族超300件，2021年发布大陆首篇4F²架构相关论文。此次演讲未提及该DDR5 RDIMM的规格信息和具体发布时间。