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长鑫科技官宣4F² DRAM架构研发进展,年底将推出DDR5 RDIMM产品

长鑫科技官宣!4F DRAM架构取得进展 专利数量超过海外厂商 年底将推出相关技术产品

AI 导读

长鑫科技10月10日官宣其4F² DRAM架构研发近期取得关键进展,总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上介绍DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向进展,并宣布预计年底推出融合上述技术的新一代DDR5 RDIMM产品。长鑫科技自成立以来启动4F²研究和专利布局,公开专利族超300件,2021年发布大陆首篇4F²架构相关论文。此次演讲未提及DDR5 RDIMM的规格信息和具体发布时间。

推荐理由

长鑫科技披露4F² DRAM架构研发进展与年底DDR5 RDIMM产品计划,可核对专利数量与工艺细节。

来源:东方财富 · 上市公司动态 · finance.eastmoney.com