Machvision提前扩产,剑指100亿新台币营收
AI 摘要据DIGITIMES报道,Machvision提前扩产,以应对半导体、基板和光模块需求增长,目标营收达100亿新台币。报道称,CNC及机加工供应链紧张已成为其最大运营挑战。
查看原文AI 摘要据DIGITIMES报道,Machvision提前扩产,以应对半导体、基板和光模块需求增长,目标营收达100亿新台币。报道称,CNC及机加工供应链紧张已成为其最大运营挑战。
查看原文AI 摘要据DIGITIMES电子时报报道,美光科技(Micron)利润率最高的业务来自PC和手机,而非AI。
查看原文AI 摘要新思科技(Nasdaq: SNPS)与OpenAI宣布签署一项多年战略合作协议,将联合开发面向芯片设计的专用模型GPT-Synopsys,该模型基于OpenAI前沿AI与新思科技EDA工具,可执行芯片设计工作流。
查看原文AI 摘要台积电3nm制程2026年二季度占晶圆收入30%,仅次于5nm的33%,据行业报道下半年或成其最大收入制程。按节点推出后前六个季度对齐比较,3nm在第二个报告季度仅占15%,低于10nm的25%、7nm的23%和5nm的20%。3nm未必是台积电收入占比爬升最快的制程,但仍可能成为其规模最大的制程之一。
查看原文AI 摘要三星电子与ASML宣布扩大战略合作,共同推进High NA EUV光刻技术及先进半导体制造。三星将加入下一代12英寸光掩模技术行业倡议,并计划于2028年首次在DRAM大规模量产中引入ASML的High NA EUV设备,以扩展DRAM缩放路线图并提升生产效率。
查看原文AI 摘要SK海力士于当地时间27日在美国印第安纳州西拉法叶举行AI内存先进封装生产基地动工仪式,该基地总投资预计超过40亿美元,计划2028年10月启用洁净室,2029年下半年开始量产下一代HBM。
查看原文AI 摘要SK hynix 于 8 月 7 日宣布,董事会批准约 54 万亿韩元投资,其中龙仁 Y2 厂 35.2 万亿韩元、清州 M17 厂 19.1 万亿韩元,用于应对 AI 时代持续增长的存储需求。
查看原文AI 摘要AMD(NASDAQ:AMD)公布 2026 年第二季度财报,营收 115.36 亿美元,同比增长 50%,环比增长 13%;GAAP 毛利率 54%,净利润 22.97 亿美元,摊薄每股收益 1.38 美元,非 GAAP 摊薄每股收益 1.66 美元。
查看原文AI 摘要SK海力士公布2026年第二季度业绩,营收79.3187万亿韩元,营业利润60.5426万亿韩元,营业利润率76%,净利润93.9226万亿韩元。营收和营业利润同比分别增长257%和557%,上半年累计营收首次突破100万亿韩元。公司称HBM4已在第二季度开始量产出货,下半年将扩大生产,并已与约10家客户敲定长期协议。
查看原文AI 摘要SK集团与英伟达宣布计划建立5000亿美元以上的全面合作,覆盖AI工厂建设与AI存储供应,双方已签署意向书。SK电讯将建设2吉瓦级AI云,采用英伟达DSX平台并部署由SK海力士HBM4驱动的英伟达Vera Rubin加速计算,首个AI工厂计划2027年上线。SK海力士与英伟达另建立长期AI存储合作,共同开发并优化包括HBM在内的下一代AI存储方案。
查看原文AI 摘要AMD在Advancing AI 2026上发布第六代EPYC CPU、Instinct MI400系列GPU、Helios机架级AI方案、Ryzen AI Embedded X100处理器及Kria AI SOM与机器人开发平台。
查看原文AI 摘要AMD(NASDAQ: AMD)与 Anthropic 宣布战略合作,将在 AMD Helios 机架级方案中部署最高 2 吉瓦的 AMD Instinct MI450 系列 GPU,首个 1 吉瓦的部署将于 2027 年上半年开始。
查看原文AI 摘要据 MoneyDJ 引述产业消息,全球主要委外封测(OSAT)厂商日月光(ASE)已将封装报价上调逾20%,涉及 CoWoS、FoCoS 等先进封装技术,主要美国客户在受影响之列,日月光对此市场传闻不予置评。
查看原文AI 推荐理由:据 MoneyDJ 引述产业消息,日月光先进封装报价涨幅超两成,原文同时给出资本开支与扩产项目数量供核对。
AI 摘要据TrendForce集邦咨询最新存储现货价报告,本周DRAM现货市场涨势集中于低密度DDR4与DDR3,主流芯片DDR4 1Gx8 3200MT/s均价由上周(6月24日)35.900美元升至本周(6月30日)36.00美元,涨幅0.28%,整体市场仍横盘。
查看原文AI 摘要杭州镓仁半导体于2026年6月24日宣布建成全球首条兼容6英寸与8英寸同质外延氧化镓晶圆的量产线,并已向头部芯片厂商交付6英寸(100)晶向产品,进入稳定量产供应。公司称其6英寸同质外延晶圆外延层厚度超10μm、厚度偏差低于1%,通过自有铸造法单晶技术与优化MOCVD外延工艺,使衬底成本每片降低逾80%。该产线已获国内主要芯片厂商长期供货协议及多家海外企业和科研机构订单。
查看原文AI 摘要据 TechNews 报道,玻璃纤维布供应商 FULLTECH 与砷化镓外延片厂商 VPEC 已向客户发出调价通知。FULLTECH 于 6 月 26 日通知客户,E-glass 玻纤布涨价 30%、FLD2 玻纤布涨价 15%,新价格自 2026 年 7 月 1 日起的新订单生效;VPEC 于 6 月 29 日通知合作伙伴,将对外延片实施幅度因产品而异的温和涨价。
查看原文AI 摘要据南华早报报道,字节跳动计划2027年初完成下一代自研CPU设计,目标同年下半年量产并扩大部署,该芯片早期版本据报自2025年底已内部使用。字节跳动正与高通洽谈合作,以应对从晶圆制造到先进封装的供应链瓶颈;其目前依赖英特尔和AMD的CPU,这两家近月环比涨价10%至35%。此外,路透社称字节跳动正与天数智芯洽谈采购AI推理芯片,后者预计今年供应至少5万颗。
查看原文AI 摘要据The Elec报道,三星电子与SK海力士将在韩国西南部合计投入800万亿韩元新建四座晶圆厂,另投入81万亿韩元建设忠清地区半导体封装枢纽。据Chosun Biz报道,SK海力士龙仁项目完工时间较原计划提前12年,第四座晶圆厂目标由2045年提前至2033年。
查看原文AI 推荐理由:据韩媒报道,三星与SK海力士合计800万亿韩元的扩产计划可能收紧先进制程设备供应,读者可据此观察设备端竞争格局。
AI 摘要郑州高新区与中南钻石(河南)于6月26日签署投资协议,建设超宽禁带半导体材料生产基地,项目总投资15亿元,被称为国内首个超宽禁带半导体全产业链项目。项目将建设涵盖装备制造、单晶生长、外延加工与封装基板的完整产业链,配备500台MPCVD设备量产2至4英寸单晶金刚石晶圆及50条球形金刚石粉产线,首批200台MPCVD设备计划2026年底投产。项目全面达产后预计三年内年产值约30亿元。
查看原文AI 摘要三星、SK海力士与美光遭17名美国消费者提起集体诉讼,指控其自2022年起借扩产HBM之名系统性限制通用DRAM供应,四年间推高价格约700%。案件编号3:26-cv-06345已列为反垄断诉讼,由加州北区联邦地方法院法官Noel Wise审理,原告请求禁止协同限供并主张三倍损害赔偿。
查看原文AI 摘要据The Elec报道,行业消息人士称韩国半导体供应链高纯度二氧化碳(CO₂)库存近期已降至不足一个月供应量,正常情况下半导体厂商与气体供应商各维持约两周库存、合计约一个月。
查看原文AI 推荐理由:据韩媒报道,韩国高纯度二氧化碳库存已降至不足一个月用量,报道同时给出三星与SK海力士的月度消耗估算及价格涨幅。
AI 摘要据 Commercial Times 引述分析师,AI 需求有望推动台积电二季度营收与毛利率高于指引,毛利率可能逼近 70%,超过其 67.5% 指引上限,动力来自 3nm 与 5nm 产能维持高利用率和 AI GPU 带动先进制程与先进封装占比提升。
查看原文AI 摘要集邦咨询梳理Micro LED共封装光学(CPO)生态,该技术以“宽而慢”并行光通道替代高速串行架构,功耗降至1–2 pJ/bit,系统功耗约为铜缆方案的5%。微软MOSAIC架构以400路2Gbps通道实现3.1–5.3W功耗,Avicena的LightBundle平台带宽512Gbps并可扩展至896Gbps。中国大陆与台湾厂商策略分化,多数项目仍处样品开发与客户验证阶段。
查看原文AI 摘要据 Wccftech 援引公司管理层报道,联想认为存储价格走高可能成为延续至2030年及以后的“新常态”。报道援引 Computer Base 称,联想在德国 ISC 2026 展示的幻灯片显示 DRAM 与 NAND 价格自2025年三季度末至四季度初快速上行,并预计不会回落至2025年初水平。该展望已假设2028年前后将有大量新增产能投产,但仍不足以扭转当前价格周期。
查看原文AI 摘要SemiAnalysis 发布报告《Scaling the Memory Wall: The Rise and Roadmap of HBM》,梳理 HBM 制造流程、厂商博弈、KVCache 卸载、分离式预填充解码与宽/高秩 EP,并展望 HBM4 定制基础裸片、OpenAI、Nvidia、AMD 的定制 HBM 方案及 shoreline 面积问题。
查看原文AI 摘要SemiAnalysis 发布 VLSI 2025 技术综述,讨论 Intel 18A 工艺并与台积电对比,同时分析背面供电的采用范围、4F2 与 3D DRAM 的潜在赢家,以及中国 FlipFET 路线。
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