方正微电子发布SiC DIP32功率模块，IDM模式赋能碳化硅在AI数据中心渗透进入增长期

方正微电子发布SiC DIP32功率模块，首发1200V 35mΩ及1200V 60mΩ两大产品。公司技术副总裁刘韧表示，今年是SiC在AIDC领域应用爆发的元年，预计相关市场将呈指数级增长。目前AI数据中心领域碳化硅渗透率接近20%，随着制程改进与衬底外延价格下降，该领域将从今年起进入指数级增长阶段。