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方正微电子发布SiC DIP32功率模块，布局AI数据中心与车规市场
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AI 综述
2026年10月18日，方正微电子发布SiC DIP32功率模块，首发1200V 35mΩ及1200V 60mΩ两大产品。公司技术副总裁刘韧表示，今年是SiC在AIDC领域应用爆发的元年，预计相关市场将呈指数级增长。目前AI数据中心领域碳化硅渗透率接近20%，随着制程改进与衬底外延价格下降，该领域将从今年起进入指数级增长阶段。报道同时提及IDM模式赋能碳化硅在AI数据中心渗透进入增长期，并涉及车规市场布局。
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最新进展10月18日 07:30
方正微电子发布SiC DIP32功率模块，首发1200V 35mΩ及60mΩ两款产品。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月18日
- 东方财富 · 上市公司动态方正微电子发布SiC DIP32功率模块，IDM模式赋能碳化硅在AI数据中心渗透进入增长期
方正微电子发布SiC DIP32功率模块，首发1200V 35mΩ及1200V 60mΩ两大产品。公司技术副总裁刘韧表示，今年是SiC在AIDC领域应用爆发的元年，预计相关市场将呈指数级增长。目前AI数据中心领域碳化硅渗透率接近20%，随着制程改进与衬底外延价格下降，该领域将从今年起进入指数级增长阶段。
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