据韩媒报道三星应辉达要求采用台积电3纳米制程生产NVHBM基础晶片

据韩国媒体报道，三星电子应最大客户辉达要求，将采用台积电3纳米制程为辉达下一代客制化高频宽记忆体生产基础晶片（Base Die），三星经内部审查后已同意。这是三星首度在HBM制造阶段与台积电合作，三星仍计划以自家模式生产标准型HBM及为其他客户量身打造的产品，并评估若台积电产能超出负荷，由自家晶圆代工部门协助生产NVHBM基础晶粒的可能性。