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英伟达要求三星等采用台积电3nm基底裸片生产NVHBM
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先了解这件事
报道摘要
据韩国媒体报道，三星电子应最大客户辉达要求，将采用台积电3纳米制程为辉达下一代客制化高频宽记忆体生产基础晶片（Base Die），三星经内部审查后已同意。这是三星首度在HBM制造阶段与台积电合作，三星仍计划以自家模式生产标准型HBM及为其他客户量身打造的产品，并评估若台积电产能超出负荷，由自家晶圆代工部门协助生产NVHBM基础晶粒的可能性。
摘自 科技新报 · 产业新闻
报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月19日
- 华尔街见闻 · A股快讯消息称英伟达要求三星、SK海力士、美光以台积电3nm基底裸片生产定制NVHBM，三星回应不评论客户事项
有消息称，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技采用台积电3nm制程的基底裸片为其生产NVHBM，核心裸片采用第六代DRAM技术，三星电子已决定接受该技术要求。10月19日三星电子回应称，公司不对涉及客户的事项发表评论。业内人士称定制基底裸片已成趋势。
- 科技新报 · 产业新闻据韩媒报道三星应辉达要求采用台积电3纳米制程生产NVHBM基础晶片
据韩国媒体报道，三星电子应最大客户辉达要求，将采用台积电3纳米制程为辉达下一代客制化高频宽记忆体生产基础晶片（Base Die），三星经内部审查后已同意。这是三星首度在HBM制造阶段与台积电合作，三星仍计划以自家模式生产标准型HBM及为其他客户量身打造的产品，并评估若台积电产能超出负荷，由自家晶圆代工部门协助生产NVHBM基础晶粒的可能性。
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