长鑫科技G6内存单元面积再缩30%，键合工艺首次登场

据快科技报道，国产DRAM厂商长鑫科技下一代内存技术平台G6的技术指标预测近日流出，其芯片单元面积将从G5代的0.00128205平方微米缩减至0.000896平方微米，缩减幅度达30%，预计最快于2028年推出。