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据报三星与SK海力士升级中国NAND工厂以应对长江存储

Samsung, SK Hynix reportedly upgrading China NAND fabs to fend off YMTC amid softening US stance

传闻/未证实:原文含未核实表述,数字与结论据称,请核对原文和后续回应。

AI 导读

据称(未经证实):据路透社10月21日援引四名知情人士报道,三星电子与SK海力士正在升级其位于中国的NAND闪存工厂,以生产层数超过200层的芯片,应对长江存储。报道称此举发生在美国立场有所软化的背景下。

来源:DIGITIMES 电子时报 · digitimes.com

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