据报三星拟采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片

据财联社援引报道，三星电子计划采用台积电3纳米工艺生产英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）基底裸片。报道称英伟达为统一制造工艺、确保性能一致性，已要求三星、SK海力士和美光在NVHBM基底裸片生产中采用台积电3纳米工艺。报道称这将是三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。