Shein香港上市首日跌10%、估值260亿美元，特朗普关税与线下回归冲击超快时尚模式
Shein于9月初在香港上市，首日股价一度下跌10%，估值260亿美元，远低于四年前的1000亿美元。其2023年营收增长41%，去年放缓至8%，2026年一季度仅增1.1%并转为亏损，美国市场销售额下降超14%。特朗普加征关税、电商放缓及线下零售回暖正考验其模式，分析师称这是Shein第一阶段的终结。
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今日 2 条La Vanguardia西班牙 · 财经媒体（南欧视角）AI 评分2222
四大证券报 · 头版精华AI 评分2222 9月2日四大证券报头版精华：盛科通信拟募48.05亿元定增、*ST清越拟被罚超2亿元、社保基金2025年收益率13.22%
盛科通信9月1日晚公告拟向不超过35名特定对象发行A股股票，募集资金总额预计不超过48.05亿元，投向下一代高性能交换芯片研发和产业化等项目。*ST清越因涉嫌欺诈发行及信披违法收到证监会《行政处罚事先告知书》，公司及相关责任人拟合计被罚超2亿元。全国社会保障基金2025年投资收益额3906.72亿元，投资收益率13.22%，创近五年新高。
TrendForce 集邦咨询中国台湾 · 半导体产业研究机构AI 评分4242 TrendForce：DRAM现货价低密度DDR4与DDR3上涨，512Gb TLC晶圆续跌
据TrendForce集邦咨询最新存储现货价报告，本周DRAM现货市场涨势集中于低密度DDR4与DDR3，主流芯片DDR4 1Gx8 3200MT/s均价由上周（6月24日）35.900美元升至本周（6月30日）36.00美元，涨幅0.28%，整体市场仍横盘。
TrendForce 集邦咨询中国台湾 · 半导体产业研究机构AI 评分4242 杭州镓仁半导体6/8英寸同质外延氧化镓晶圆量产线投产，称全球首条
杭州镓仁半导体于2026年6月24日宣布建成全球首条兼容6英寸与8英寸同质外延氧化镓晶圆的量产线，并已向头部芯片厂商交付6英寸（100）晶向产品，进入稳定量产供应。公司称其6英寸同质外延晶圆外延层厚度超10μm、厚度偏差低于1%，通过自有铸造法单晶技术与优化MOCVD外延工艺，使衬底成本每片降低逾80%。该产线已获国内主要芯片厂商长期供货协议及多家海外企业和科研机构订单。
TrendForce 集邦咨询中国台湾 · 半导体产业研究机构AI 评分4242 字节跳动据报拟2027年下半年量产自研CPU，或与高通合作
据南华早报报道，字节跳动计划2027年初完成下一代自研CPU设计，目标同年下半年量产并扩大部署，该芯片早期版本据报自2025年底已内部使用。字节跳动正与高通洽谈合作，以应对从晶圆制造到先进封装的供应链瓶颈；其目前依赖英特尔和AMD的CPU，这两家近月环比涨价10%至35%。此外，路透社称字节跳动正与天数智芯洽谈采购AI推理芯片，后者预计今年供应至少5万颗。
TrendForce 集邦咨询中国台湾 · 半导体产业研究机构AI 评分4242 郑州高新区与中南钻石（河南）签约 国内首个超宽禁带半导体全产业链项目落地
郑州高新区与中南钻石（河南）于6月26日签署投资协议，建设超宽禁带半导体材料生产基地，项目总投资15亿元，被称为国内首个超宽禁带半导体全产业链项目。项目将建设涵盖装备制造、单晶生长、外延加工与封装基板的完整产业链，配备500台MPCVD设备量产2至4英寸单晶金刚石晶圆及50条球形金刚石粉产线，首批200台MPCVD设备计划2026年底投产。项目全面达产后预计三年内年产值约30亿元。
TrendForce 集邦咨询中国台湾 · 半导体产业研究机构AI 评分4242 三星、SK海力士、美光遭美国消费者集体反垄断诉讼，涉DRAM供应操纵指控
三星、SK海力士与美光遭17名美国消费者提起集体诉讼，指控其自2022年起借扩产HBM之名系统性限制通用DRAM供应，四年间推高价格约700%。案件编号3:26-cv-06345已列为反垄断诉讼，由加州北区联邦地方法院法官Noel Wise审理，原告请求禁止协同限供并主张三倍损害赔偿。
SemiAnalysis美国 · 半导体深度研究（独立观点）AI 评分2222 HBM 内存墙的扩张：HBM 的崛起与路线图
SemiAnalysis 发布报告《Scaling the Memory Wall: The Rise and Roadmap of HBM》，梳理 HBM 制造流程、厂商博弈、KVCache 卸载、分离式预填充解码与宽/高秩 EP，并展望 HBM4 定制基础裸片、OpenAI、Nvidia、AMD 的定制 HBM 方案及 shoreline 面积问题。
SemiAnalysis美国 · 半导体深度研究（独立观点）AI 评分3030 SemiAnalysis VLSI 2025 综述：Intel 18A 成本、DRAM 4F2 与 3D 之争、背面供电落地与 FlipFET
SemiAnalysis 发布 VLSI 2025 技术综述，讨论 Intel 18A 工艺并与台积电对比，同时分析背面供电的采用范围、4F2 与 3D DRAM 的潜在赢家，以及中国 FlipFET 路线。