据 TechNews 报道，玻璃纤维布供应商 FULLTECH 与砷化镓外延片厂商 VPEC 已向客户发出调价通知。FULLTECH 于 6 月 26 日通知客户，E-glass 玻纤布涨价 30%、FLD2 玻纤布涨价 15%，新价格自 2026 年 7 月 1 日起的新订单生效；VPEC 于 6 月 29 日通知合作伙伴，将对外延片实施幅度因产品而异的温和涨价。
推荐理由：原文给出玻纤布与砷化镓外延片两类上游材料的调价幅度和生效时点，可据此核对电子材料成本传导的节奏。
据南华早报报道，字节跳动计划2027年初完成下一代自研CPU设计，目标同年下半年量产并扩大部署，该芯片早期版本据报自2025年底已内部使用。字节跳动正与高通洽谈合作，以应对从晶圆制造到先进封装的供应链瓶颈；其目前依赖英特尔和AMD的CPU，这两家近月环比涨价10%至35%。此外，路透社称字节跳动正与天数智芯洽谈采购AI推理芯片，后者预计今年供应至少5万颗。
据The Elec报道，三星电子与SK海力士将在韩国西南部合计投入800万亿韩元新建四座晶圆厂，另投入81万亿韩元建设忠清地区半导体封装枢纽。据Chosun Biz报道，SK海力士龙仁项目完工时间较原计划提前12年，第四座晶圆厂目标由2045年提前至2033年。
推荐理由：据韩媒报道，三星与SK海力士合计800万亿韩元的扩产计划可能收紧先进制程设备供应，读者可据此观察设备端竞争格局。
郑州高新区与中南钻石（河南）于6月26日签署投资协议，建设超宽禁带半导体材料生产基地，项目总投资15亿元，被称为国内首个超宽禁带半导体全产业链项目。项目将建设涵盖装备制造、单晶生长、外延加工与封装基板的完整产业链，配备500台MPCVD设备量产2至4英寸单晶金刚石晶圆及50条球形金刚石粉产线，首批200台MPCVD设备计划2026年底投产。项目全面达产后预计三年内年产值约30亿元。
三星、SK海力士与美光遭17名美国消费者提起集体诉讼，指控其自2022年起借扩产HBM之名系统性限制通用DRAM供应，四年间推高价格约700%。案件编号3:26-cv-06345已列为反垄断诉讼，由加州北区联邦地方法院法官Noel Wise审理，原告请求禁止协同限供并主张三倍损害赔偿。
据The Elec报道，行业消息人士称韩国半导体供应链高纯度二氧化碳（CO₂）库存近期已降至不足一个月供应量，正常情况下半导体厂商与气体供应商各维持约两周库存、合计约一个月。
推荐理由：据韩媒报道，韩国高纯度二氧化碳库存已降至不足一个月用量，报道同时给出三星与SK海力士的月度消耗估算及价格涨幅。
据 Commercial Times 引述分析师，AI 需求有望推动台积电二季度营收与毛利率高于指引，毛利率可能逼近 70%，超过其 67.5% 指引上限，动力来自 3nm 与 5nm 产能维持高利用率和 AI GPU 带动先进制程与先进封装占比提升。
推荐理由：材料转述台媒与分析师对台积电二季度毛利率、三季度营收及先进封装扩产的预期，读者可据此核对原文的预测口径与数据来源。
集邦咨询梳理Micro LED共封装光学（CPO）生态，该技术以“宽而慢”并行光通道替代高速串行架构，功耗降至1–2 pJ/bit，系统功耗约为铜缆方案的5%。微软MOSAIC架构以400路2Gbps通道实现3.1–5.3W功耗，Avicena的LightBundle平台带宽512Gbps并可扩展至896Gbps。中国大陆与台湾厂商策略分化，多数项目仍处样品开发与客户验证阶段。
据 Wccftech 援引公司管理层报道，联想认为存储价格走高可能成为延续至2030年及以后的“新常态”。报道援引 Computer Base 称，联想在德国 ISC 2026 展示的幻灯片显示 DRAM 与 NAND 价格自2025年三季度末至四季度初快速上行，并预计不会回落至2025年初水平。该展望已假设2028年前后将有大量新增产能投产，但仍不足以扭转当前价格周期。
推荐理由：联想在 ISC 2026 展示的 DRAM 与 NAND 价格走势判断，以及其对 2028 年新增产能的假设，可供读者核对存储价格周期观点。
SemiAnalysis 发布报告《Scaling the Memory Wall: The Rise and Roadmap of HBM》，梳理 HBM 制造流程、厂商博弈、KVCache 卸载、分离式预填充解码与宽/高秩 EP，并展望 HBM4 定制基础裸片、OpenAI、Nvidia、AMD 的定制 HBM 方案及 shoreline 面积问题。
SemiAnalysis 发布 VLSI 2025 技术综述，讨论 Intel 18A 工艺并与台积电对比，同时分析背面供电的采用范围、4F2 与 3D DRAM 的潜在赢家，以及中国 FlipFET 路线。